RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
25.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
77
Wokół strony -450% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
14
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4182
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link