RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2917
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link