RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2846
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link