RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3219
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link