RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs INTENSO 5641162 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641162 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2799
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
INTENSO 5641162 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link