RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2307
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5403-072.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link