RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
77
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1820
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link