RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3070
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link