RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3070
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
ASint Technology SLB304G08-GGNHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link