RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
1,486.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
77
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
5300
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
77
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
3,180.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
1,486.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
6400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
468
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link