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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
1,486.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
77
Por volta de -20% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
6400
5300
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR2
Latência em PassMark, ns
77
64
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
3,180.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
1,486.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
6400
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
468
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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