RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2487
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link