Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 38

Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.3 10.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16.5 15.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 14900

Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2696 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns