RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2696
2829
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link