Comparación de la memoria RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Puntuación global

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 38

En 34% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.3 10.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.5 15.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 14900

En 1.72 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2696 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns