RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
14900
Около 1.72 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
25600
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
2829
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link