RAM-Vergleich Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 38

Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.3 10.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.5 15.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 14900

Rund um 1.72 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2696 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns