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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

総合得点
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

総合得点
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 38
    周辺 34% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 10.9
    テスト平均値
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 14900
    周辺 1.72 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.3 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2696 left arrow 2829

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