Comparaison de la RAM Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Note globale

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 38

Autour de 34% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.3 10.9

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.5 15.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 14900

Autour de 1.72 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2696 2829

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns