RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
77
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2034
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link