RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
77
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2071
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link