RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3758
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link