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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
18.6
写入速度,GB/s
2,622.0
16.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3758
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
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