RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3136
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link