RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3795
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link