RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
77
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.9
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2314
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link