RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2800
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link