RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3040
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link