RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2014
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link