RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2755
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link