RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3990
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link