RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
77
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
54
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2938
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link