RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2980
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link