RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2193
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link