RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
2,622.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2193
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link