RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2781
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link