RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3626
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link