RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3621
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link