RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
77
Por volta de -141% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3621
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link