RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3341
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link