RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2349
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link