RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2283
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link