RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1989
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link