RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2648
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link