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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
15.3
写入速度,GB/s
2,622.0
11.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2648
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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