RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2292
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link