RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2292
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link