RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3076
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link