RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3208
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link