RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2148
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link