RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3543
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link