RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
18.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
77
左右 -305% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
19
读取速度,GB/s
3,405.2
19.8
写入速度,GB/s
2,622.0
18.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3543
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link